供应东沅场效应管 FKBA8048 N沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA8048 PRPAK5x6 N沟道80V快速开关MOSFET

FKBA8048电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）

● 漏极-源极击穿电压：80V
● 静态漏极源导通电阻
VGSS=10V，ID=20A: 4.3~6.5mΩ
VGS=4.5V，ID=20A: 6.3~8.5mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.3V
● 漏源漏电流
VDS=64V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=64V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：75S
● 栅极电阻：0.5Ω
● 闸门总电荷：40nC
● 栅极-源极电荷：7.2nC
● 栅极-漏极电荷：6.5nC
● 开机延迟时间：8.3ns
● 上升时间：4.2s
● 关闭延迟时间：36ns
● 秋季时间：6.9ns
● 输入电容：2860pF
● 输出电容：410pF
● 反向传输电容：38pF

FKBA8048产品规格书（部分）