供应FKBA0056 东沅100V单N沟道MOS管

Fet/东沅 FKBA0056 PRPAK5x6 N通道100V快速开关MOSFET

FKBA0056额定参数
● 漏极-源极电压：100V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流

ID@TC=25℃：32A
ID@TC=100℃：20.2A
● 脉冲漏极电流：94A
● 单脉冲雪崩能量：45mJ
● 雪崩电流：30A
● 总功耗：37.9W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：100V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=10A: 15.5~20mΩ
VGS=4.5V，ID=10A: 21~30mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.2V
● 漏源漏电流
VDS=80V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=80V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
●栅极电阻：1Ω
● 闸门总费用：17.9nC
● 栅极-源极电荷：2.8nC
● 栅极-漏极电荷：5.2nC
● 开机延迟时间：13ns
● 上升时间：6ns
● 关闭延迟时间：30ns
● 秋季时间：29ns
● 输入电容：849pF
● 输出电容：185pF
● 反向传输电容：8pF

FKBA0056产品规格书（部分）