供应FKD3006 东沅30V N沟道MOS管

Fet/东沅 FKD3006 TO252 30V N沟道快速开关MOSFET

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏源击穿电压：30V
●参考温度系数：0.028V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=30A: 4.7~5.5mΩ
VGS=4.5V，ID=15A: 7.5~9mΩ
● 栅极阈值电压：1.0~2.5V
●温度系数：-6.16mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=24V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=24V，VGS=0V，TJ=125℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：22S
●栅极电阻：1.7~3.4mΩ
● 闸门总电荷：20nC
● 栅极源极电荷：7.6nC
● 栅极-漏极电荷：7.2nC
● 开机延迟时间：7.8ns
● 上升时间：15ns
● 关闭延迟时间：37.3ns
● 秋季时间：10.6ns
● 输入电容：2295pF
● 输出电容：267pF
● 反向传输电容：210pF

FKD3006二极管特性
● 连续电源电流：80A
● 脉冲源电流：160A
● 二极管正向电压：1V
● 反向恢复时间：14nS
● 反向恢复电荷：5nC

FKD3006产品规格书（部分）