IPD50N06S3-09 晶体管 Infineon

IPD50N06S3-09  晶体管 Infineon 产品属性 
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 55 V 
Id-连续漏极电流: 50 A 
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 107 W 
通道模式: Enhancement 
配置: Single  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 37 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 42 ns  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 26 ns  
典型接通延迟时间: 23 ns  

单位重量: 350 mg

IPD50N06S3-09  晶体管 Infineon 产品图片