IPD10N03LAG 晶体管 Infineon 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.8 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6.3 ns
单位重量: 4 g
IPD10N03LAG 晶体管 Infineon 产品图片
