IPD90N04S3-H4 晶体管 Infineon

IPD90N04S3-H4  晶体管 Infineon 产品属性
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
Id-连续漏极电流: 90 A 
Rds On-漏源导通电阻: 4.3 mOhms 
资格: AEC-Q101 
商标名: OptiMOS 
封装: Cut Tape 
封装: Reel 
配置: Single  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
系列: OptiMOS-T  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
产品类型: MOSFET  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
零件号别名: IPD90N04S3H4ATMA1 SP000415584 IPD9N4S3H4XT IPD90N04S3H4ATMA1  
单位重量: 4 g  

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