IPD12CNE8N G 晶体管 Infineon

IPD12CNE8N G 晶体管 Infineon Technologies 产品属性

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Id-连续漏极电流: 67 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns

单位重量: 350 mg

IPD12CNE8N G 晶体管 Infineon 产品图片

型号/规格

IPD12CNE8N G

品牌/商标

Infineon Technologies

封装 / 箱体

TO-252-3

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

工作温度

- 55 C

工作温度

+ 175 C