IPD70N10S3L-12 晶体管 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 70 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 59 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: OptiMOS-T
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPD70N10S3L12ATMA1 SP000261250 IPD7N1S3L12XT IPD70N10S3L12ATMA1
单位重量: 4 g
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