IPD70N10S3L-12 晶体管

地区:广东 深圳
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IPD70N10S3L-12 晶体管 产品属性 
制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: PG-TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Id-连续漏极电流: 70 A 
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 
Qg-栅极电荷: 59 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 125 W 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
商标名: OptiMOS 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
配置: Single  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
系列: OptiMOS-T  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 7 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 6 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 35 ns  
典型接通延迟时间: 12 ns  
零件号别名: IPD70N10S3L12ATMA1 SP000261250 IPD7N1S3L12XT IPD70N10S3L12ATMA1  

单位重量: 4 g

IPD70N10S3L-12 晶体管 产品图片

型号/规格

IPD70N10S3L-12

品牌/商标

Infineon

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Id-连续漏极电流

70 A

Rds On-漏源导通电阻

11.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

10 V