IPD105N03LG 晶体管 Infineon 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 15.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 3.7 ns
零件号别名: IPD105N03LGBTMA1 SP000254717 IPD105N03LGBTMA1
单位重量: 4 g
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