现货供应 FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET

FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET

完整型号:
FQA18N50V2
FQP18N50V2
FQPF18N50V2
FQD18N20V2TM
FQPF18N20V2
FQP18N20V2
FQU18N20V2
FQD18N20V2
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251,TO-220
年份: 09
数量: 300000
*小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD18N20V2 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，
平面条纹，DMOS工艺技术。这种*的技术，*是针对已
尽量减少对通态电阻，提供*的开关性能，经受住了*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于如汽车，高低压应用
效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.15A，200V，RDS（on）=0.14Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅*电荷（典型值20nC）
3.低Crss（25 pF的典型）
4,快速切换
5.100％雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力

FQD13N10 100V的N沟道MOSFET

完整型号:
FQD13N10
FQD13N10TM
FQU13N10
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251
年份: 09
数量: 300000
*小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD13N10 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，
平面条纹，DMOS工艺技术。这种*的技术，*是针对已
尽量减少对通态电阻，提供*的开关性能，经受住了*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于诸如音频放大器的低电压应用中，
*率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.10A，100V，RDS（上）=0.18Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅*电荷（典型值12nC）
3.低Crss（20 pF的典型）
4.快速切换
5.100％雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力