供应 US1G-13-F
地区：广东 深圳
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RS1A 表面装贴快速开关整流器,反向电压-50至800V,正向电流-1.0A
RS2A 表面贴装快速开关整流器
RS3A 表面装贴快速开关整流器,反向电压-50至800V,正向电流-3.0A
S1A 表面贴装整流器,电压-50至1000V,电流-1.0A
S2A 表面装贴整流器,电压-50至1000V,电流-2.0A
S3A 表面装贴整流器,电压-50至1000V,电流-3.0A
US1D 表面装贴*快整流器,电压-50至800V,电流-1.0A
US2D 表面装贴*快整流器,电压50至1000V,电流2.0A
US3D 表面装贴*快整流器,电压50至400V,电流3.0A
SMAJ100A 400W,瞬变抑制二*管
S*J100A 600W,瞬变抑制二*管
SMCJ100A 1500W,瞬变抑制二*管
SS12 肖特基整流器20-100V,1A
SS22 肖特基整流器
1SMA5913BT3G 表面贴装稳压二*管,-3.3-68V,1.5W-安森美半导体
1SMA10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.0-78V,400W-安森美半导体
1S*5918BT3G 表面贴装稳压二*管,3.3-200V,3W-安森美半导体
1S*10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.0-170V,600W-安森美半导体
1S*10CAT3 功率稳压管瞬态电压抑制器,10-78V,600W-安森美半导体
1SMC10AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.8-78,1500W-安森美半导体
1.5SMC6.8AT3 功率稳压管瞬态电压抑制器单向5.8-78,1500W-安森美半导体
MURA115T3G *速整流器1A，输入电压100-200V-安森美半导体
MURS105T3G *速整流器1A，输入电压50-600V-安森美半导体
P6S*100AT3G 功率稳压管瞬态电压抑制器,5.8-171V,600W-安森美半导体
P4SMA100A 400W,表面贴装瞬态电压抑制器
DIOD*/美台
US1G-13-F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
LLCC/无引线陶瓷片载
HEMT高电子迁移率
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
1（dB）
1（mA）
1（mW）
