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NGD8201NT4G IGBT,20A,400V,N沟道-安森美半导体

完整型号:
NGD8201NT4
NGD8201NT4G
厂商:ON/安森美
封装:SOT-252
年份: 10
数量: 50000
*小包装:编带盘装,2500PCS/盘
产品特点:
1.适用于线圈上随插即用驱动器盘管的应用
2.采用DPAK封装提供更小的电路板空间增加足迹
3.门发射**D保护
4.温度补偿门集电*电压钳位限制
应力负荷的应用
1.集成的*D二*管保护
2.用于连接到逻辑电源负载或低阈值电压
微处理器设备
1.低饱和电压
2.高脉冲电流能力
3.可选的栅*电阻(RG)和栅*发射*电阻
4.无铅包可用
应用
1.点火系统

品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NGD8201NT4G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)