长期供应 NGD8201NT4G
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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NGD8201NT4G IGBT,20A,400V,N沟道-安森美半导体
完整型号:
NGD8201NT4
NGD8201NT4G
厂商:ON/安森美
封装:SOT-252
年份: 10
数量: 50000
*小包装:编带盘装,2500PCS/盘
产品特点:
1.适用于线圈上随插即用驱动器盘管的应用
2.采用DPAK封装提供更小的电路板空间增加足迹
3.门发射**D保护
4.温度补偿门集电*电压钳位限制
应力负荷的应用
1.集成的*D二*管保护
2.用于连接到逻辑电源负载或低阈值电压
微处理器设备
1.低饱和电压
2.高脉冲电流能力
3.可选的栅*电阻(RG)和栅*发射*电阻
4.无铅包可用
应用
1.点火系统
0N/安森美
NGD8201NT4G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
1(dB)
1(mA)
1(mW)