晶体管PSMN5R6-60YL 公司现货

地区:广东 深圳
认证:

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型号:PSMN5R6-60YL

制造商: Nexperia

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LFPAK56-5

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 66.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Nexperia  

下降时间: 32.1 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 36.4 ns  

工厂包装数量: 1500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 49.4 ns  

典型接通延迟时间: 19.3 ns  

单位重量: 82 mg

 

      晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

型号/规格

PSMN5R6-60YL

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

LFPAK56-5

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率