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产品属性
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CSD17577Q3A 晶体管MOS 代理直销
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSONP-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30
VId-连续漏极电流:83 A
Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10
VQg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:53 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET封装:Cut Tape
封装:Reel
高度:0.9 mm 长度:3.15 mm
系列:CSD17577Q3A
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3 mm
商标:Texas Instruments
正向跨导 - 最小值:76 S
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET 上升时间:31 ns 工
厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:4 ns
CSD17577Q3A
TI
VSONP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率