MOSFET IRFB4110PBF 原装

地区:广东 深圳
认证:

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IRFB4110PBF  原装正品

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:180 ARds 

On-漏源导通电阻:3.7 mOhmsV

gs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:150 nC

配置:SingleP

d-功率耗散:370 W

高度:15.65 mm 

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon / IR

产品类型:MOSFET 

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

零件号别名:SP 

单位重量:6 g

   


基本信息

中文名称   金属-氧化层 半导体场效晶体管

外文名称    MOSFET

核心      金属—氧化层—半导体电容

发明时间    1960年

发明人   D. Kahng和 Martin Atalla

发明机构   贝尔实验室(Bell Lab.)

型号/规格

IRFB4110PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特征

大功率