MOS管供应IRF840PBF 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

壹诺半导体(深圳 )有限公司

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型号:IRF840PBF

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息 

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:500 VId-

连续漏极电流:8 ARds On-

漏源导通电阻:850 mOhmsVgs th-

栅源极阈值电压:2 VVgs - 

栅极-源极电压:10 VQg-

栅极电荷:63 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:SinglePd-功率

耗散:125 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel 

商标:Vishay / Siliconix 

正向跨导 - 最小值:4.9 S 

下降时间:20 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:23 ns 

工厂包装数量:50 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:49 ns 

典型接通延迟时间:14 ns


型号/规格

IRF840PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

大功率

封装

TO-220AB-3