场效应管 AOT12N65,T12N65

产品型号:AOT12N65

概述
该AOT12N65和AOTF12N65制作采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在流行的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线电源设计

应用范围：
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * HID灯
 * 节能灯镇流器
 * 逆变器

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):12

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.72 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):278

输入电容Ciss(PF):1792 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):750

导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ.

上升时间Tr(ns):77 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):120 typ.

下降时间Tf(ns):63 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,12A 0.72Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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