场效应管 FQP50N06,50N06

产品型号:KIA50N06

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):130

极间电容Ciss(PF):900 TYP.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,50A N-Channel PowerTrench MOSFET

产品型号:FQP50N06

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):120

极间电容Ciss(PF):1180 TYP.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：22

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):490

温度(℃): -55 ~175

描述:60V,50A N-Channel MOSFET

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