场效应管 IRFS244B IRFS244

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金城微零件有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

IRFS244B,MOS,250V,10.2A,0.28Ω,3PF

<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过或贸易通在线联系,以确定当日市场最新价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新正品!价格优惠!现货供应!
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
250V MOSFET场效应管系列:
2SK2255-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,250V,18A
FMV24N25G,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,250V,24A
2SK3611-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,250V,10A,0.26Ω
2SK1917-MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,250V,10A,0.4Ω
FMV14N25G,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,250V,14A,
2SK3555-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,250V,37A,0.1Ω
STK1625F TO-220F AUK DIP/MOS N场 250V 16A 0.27Ω
IRF624STR,SOT-263,IR,SMD/MOS,250V,4.4A,N场,1.1Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话
STP8NS25 TO-220 07NPB ST DIP/MOS N场 250V 8A 0.45Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话
P8NS25 TO-220 07NPB ST DIP/MOS N场 250V 8A 0.45Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话
8NS25 TO-220 07NPB ST DIP/MOS N场 250V 8A 0.45Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话
STK0825F TO-220F AUK DIP/MOS N场 250V 8A 0.4Ω
2SK3192 TO-3PF panasonic DIP/MOS N场 250V 30A 0.068Ω
2SK2250 FUJ SOT-252 N场 250V 2A
IRF634N IR TO-220 N场 250V 8.1A
IRFS244B FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 10.2A
FQP9N25 FAIRCHILD TO-220 N场 250V 9A
FDA64N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 64A
IRF654B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 21A
IRF644B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 14A
FQA27N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 27A
IRFU224B FAIRCHILD TO-251 N场 250V 3.8A
2SK1221 FUJ TO-220 N场 250V 10A
FQAF40N25 FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 40A
IRFS634A FAIRCHILD TO-220F N场 250V 8.1A
IRFS654B定型脚 FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
IRF614 IR TO-220 N场 250V 2A
FS20KM-5 RENESAS/瑞萨 TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFU12N25D IR TO-251 N场 250V 14A
FS20KM-5三凌 三凌/MITSUBISHI TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFS654B FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
FKP253 SK TO-220F N场 250V 20A
CEFF634 CET/华瑞 TO-220F N场 250V 8A
FQA40N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 40A
IXTK62N25 IXYS TO-3PL N场 250V 62A
2SK3192,TO-3PF,250V,30A,0.068Ω
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、:4006262666
4、Q
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

品牌/商标

FAIRCHILD/仙童

型号/规格

IRFS244B,MOS,250V,10.2A,0.28Ω,3PF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

夹断电压

30(V)

极间电容

1600(pF)

漏极电流

10.2A(mA)

耗散功率

73W(mW)