场效应管 TK11A45D,TK11A45

地区:广东 深圳
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TK11A45D,TO-220F定型脚,DIP/MOS,N场,450V,11A,0.62Ω

产品型号:TK11A45D 开关稳压器应用

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):11

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.62 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

输入电容Ciss(PF):1050 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):3.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):238

导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.

上升时间Tr(ns):25 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

下降时间Tf(ns):10 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:450V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications


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封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

TK11A45D,TO-220F,DIP/MOS,N场,450V,11A,0.62Ω

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

Toshiba/东芝

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型