场效应管 BSC0925ND BSC072N03LDG

BSC0925ND,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,30V/30V,40A/40A,0.0045Ω

产品型号:BSC072N03LDG
OptiMOS Power-Transistors

特点
 * 双N沟道逻辑电平
 * 快速开关MOSFET的开关电源
 * 优化技术的DC / DC转换器
 * 符合到JEDEC1）为目标的应用
 * 优秀的栅极电荷x RDS（ON）产品（FOM）
 * 非常低的导通电阻RDS（ON）
 * 卓越的热电阻
 * 100％雪崩测试
 * 无铅电镀，符合RoHS标准

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

品牌：INFINEON/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V/30V

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):20A/20A

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):57

输入电容Ciss(PF):2600 typ.

通道极性:双N沟道

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):90

导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.

上升时间Tr(ns):4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.

下降时间Tf(ns):4 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:BSC072N03LDG,30V/30A,20A/20A,0.0072Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管