场效应管 2SK3687-01MR 2SK3687 K3687

地区:广东 深圳
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产品型号:2SK3687-01MR

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):16

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):97

极间电容Ciss(PF):1590

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):13

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,16A  N-Channel MOSFET

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漏极电流

16A

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

2SK3687-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,600V,16A,0.57Ω

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

FJD日本富士电机

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

夹断电压

30

导电方式

增强型

极间电容

2390