场效应管 FDD8896 FDB

产品型号:FDD8896

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):94

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):80

极间电容Ciss(PF):2525

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,94A N-Channel PowerTrench MOSFET

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