IRF7201TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：7.3 A
漏源导通电阻：30 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：19 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-加速度：5.8 S
下降时间：19 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：35 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：21 ns
典型起始延迟时间：7 ns
零件号别名：IRF7201TRPBF SP001565328
单位重量：506.600毫克
特征
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
提供卷带包装
动态dv / dt额定值
快速切换
无铅
描述
第五代HEXFET®功率MOSFET
国际整流器利用先进的处理
实现极低导通电阻的技术
每硅面积。 这种好处，结合了快速
开关速度和坚固的设备设计
HEXFET MSFET以提供
设计者具有极其高效和可靠的设备
适用于各种应用。
SO-8已通过定制进行了修改
引线框增强了热特性，并且
多管芯功能使其非常适合各种
电力应用。 通过这些改进，多个
设备可以在具有显着效果的应用程序中使用
减少电路板空间。 该包装专为
气相，红外或波峰焊技术。
功耗可能大于0.8W
典型的PCB安装应用。
最大额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain- Source Voltage |
30 |
V |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
7.3 |
A |
|
ID @ TC = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
5.8 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
58 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
2.5 |
w |
|
PD @TC = 70°C |
Power Dissipation |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
VGSM |
Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10μs |
30 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
70 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRF7201TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
