NCE1216增强型功率MOSFET

　　一般特点：

　　VDS=-12V,ID=-16A

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=-2.5v

　　RDS(ON)<18mΩ@vg=-4.5v

　　先进的沟槽MOSFET工艺技术

　　超低导通电阻，低栅电荷

　　应用程序：

　　脉宽调制的应用程序

　　负荷开关

　　手机电池充电

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-12V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：-16

　　漏极电流脉冲(注1)：-65A

　　最大功耗：18W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。