VISHAY/威世 SI2356DS-T1-GE3 MOSFET

地区:广东 深圳
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SI2356DS-T1-GE3,SI2356DS-T1-GE3
产品属性介绍:
产品型号 SI2356DS-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 51 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 3.8 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 6 ns
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
包装数量:3000
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
产品型号 SI2356DS-T1-GE3


公司简介:
英特翎公司创建于1987年,现已发展成为国内闻名的IC混合型(授权与非授权)电子元器件分销商。
多年以来,英特翎公司以自己良好的信用,可靠的质量,有竞争力的价格、快捷的物流和灵活的财务支持,
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自2005年以来,英特翎公司连续多次被世界权威媒体评为极满意独立分销商十佳之一,
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英特翎公司将持续发挥自己在资金、技术、物流、人力资源的优势为客户提供一流的产品、全面的服务、
完整的技术支持,与客户建立起战略合作关系,发展成为世界闻名的IC混合型供应商。
主营范围:DIODES,VISHAY ,INFINEON,SUMAUNG,ST,ON等品牌 逻辑芯片,二三极管,场效应管等

型号/规格

SI2356DS-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY/威世

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装