DIODES/美台 DMN2014LHAB-7 MOSFET

型号DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
13 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1550pF @ 10V
功率 - 大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2030-6（B 类）
基本产品编号

DMN2014

类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
13 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1550pF @ 10V
功率 - 大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2030-6（B 类）
基本产品编号
DMN2014
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
13 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1550pF @ 10V
功率 - 大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2030-6（B 类）
基本产品编号
DMN2014