DIODES/美台 BSS8402DWQ-7 MOSFET

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型号BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V,50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA,130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
13.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
50pF @ 25V
功率 - 大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
BSS8402

类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V,50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA,130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
13.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
50pF @ 25V
功率 - 大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
BSS8402

类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V,50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA,130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
13.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
50pF @ 25V
功率 - 大值
200mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
BSS8402
型号/规格

BSS8402DWQ-7

品牌/商标

DIODES/美台

封装形式

SOT-363

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率