DIODES/美台 FZT658TA 晶体管

地区:广东 深圳
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型号FZT658TA

FZT658TA

FZT658TA

FZT658TA

类别 分立半导体产品

晶体管
双极(BJT)
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(大值)
500 mA
电压 - 集射极击穿(大值)
400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(大值)
500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(小值)
40 @ 200mA,10V
功率 - 大值
2 W
频率 - 跃迁
50MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
基本产品编号

FZT658

类别 分立半导体产品
晶体管
双极(BJT)
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(大值)
500 mA
电压 - 集射极击穿(大值)
400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(大值)
500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(小值)
40 @ 200mA,10V
功率 - 大值
2 W
频率 - 跃迁
50MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
基本产品编号
FZT658
类别 分立半导体产品
晶体管
双极(BJT)
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带(TR)
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(大值)
500 mA
电压 - 集射极击穿(大值)
400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(大值)
500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(小值)
40 @ 200mA,10V
功率 - 大值
2 W
频率 - 跃迁
50MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
基本产品编号
FZT658

型号/规格

FZT658TA

品牌/商标

DIODES/美台

封装形式

SOT-223-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率