DIODES/美台 FZT658TA 晶体管

型号FZT658TA

FZT658TA

FZT658TA

FZT658TA

类别 分立半导体产品

晶体管
双极（BJT）
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
500 mA
电压 - 集射极击穿（大值）
400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
40 @ 200mA，10V
功率 - 大值
2 W
频率 - 跃迁
50MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
基本产品编号

FZT658

类别 分立半导体产品
晶体管
双极（BJT）
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
500 mA
电压 - 集射极击穿（大值）
400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
40 @ 200mA，10V
功率 - 大值
2 W
频率 - 跃迁
50MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
基本产品编号
FZT658
类别 分立半导体产品
晶体管
双极（BJT）
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
500 mA
电压 - 集射极击穿（大值）
400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
40 @ 200mA，10V
功率 - 大值
2 W
频率 - 跃迁
50MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
基本产品编号
FZT658