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产品属性
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型号DMP3098LQ-7
DMP3098LQ-7
DMP3098LQ-7
DMP3098LQ-7
类别 分立半导体产品
晶体管DMP3098
类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
70 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
8 nC @ 4.5 V
Vgs(大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1008 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(大值)
1.08W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
DMP3098
类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
70 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
8 nC @ 4.5 V
Vgs(大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1008 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(大值)
1.08W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
DMP3098
DMP3098LQ-7
DIODES/美台
SOT-23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率