DIODES/美台 DMN2011UFDE-7 MOSFET

DMN2011UFDE-7，DMN2011UFDE-7
产品属性介绍：
产品型号 DMN2011UFDE-7
类别 分立半导体产品
晶体管 FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.7A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
2248 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
610mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳 6-PowerUDFN
基本产品编号 DMN2011

产品型号 DMN2011UFDE-7

公司简介：
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主营范围：DIODES,VISHAY ,INFINEON,SUMAUNG,ST,ON等品牌 逻辑芯片，二三极管，场效应管等