DIODES/美台 DMN3190LDW-7 MOSFET

型号DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
190 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
87pF @ 20V
功率 - 大值
320mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DMN3190
晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
190 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
87pF @ 20V
功率 - 大值
320mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DMN3190