DIODES/美台 DMC2990UDJ-7 MOSFET

型号DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7

类别

分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA，310mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
27.6pF @ 15V
功率 - 大值
350mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号

DMC2990

类别
分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA，310mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
27.6pF @ 15V
功率 - 大值
350mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号
DMC2990
类别
分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA，310mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
27.6pF @ 15V
功率 - 大值
350mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号
DMC2990