DIODES/美台 ZXTN2010ZQTA 晶体管

型号ZXTN2010ZQTA

ZXTN2010ZQTA

ZXTN2010ZQTA

ZXTN2010ZQTA

类别
分立半导体产品
晶体管
双极（BJT）
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
5 A
电压 - 集射极击穿（大值）
60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
230mV @ 300mA，6A
电流 - 集电极截止（大值）
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
100 @ 2A，1V
功率 - 大值
2.1 W
频率 - 跃迁
130MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
SOT-89-3
基本产品编号
ZXTN2010
类别
分立半导体产品
晶体管
双极（BJT）
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
5 A
电压 - 集射极击穿（大值）
60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
230mV @ 300mA，6A
电流 - 集电极截止（大值）
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
100 @ 2A，1V
功率 - 大值
2.1 W
频率 - 跃迁
130MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
SOT-89-3
基本产品编号
ZXTN2010
类别
分立半导体产品
晶体管
双极（BJT）
单双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（大值）
5 A
电压 - 集射极击穿（大值）
60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（大值）
230mV @ 300mA，6A
电流 - 集电极截止（大值）
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（小值）
100 @ 2A，1V
功率 - 大值
2.1 W
频率 - 跃迁
130MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-243AA
供应商器件封装
SOT-89-3
基本产品编号
ZXTN2010