DIODES/美台 DMN6070SSD-13 MOSFET

型号DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

类别 分立半导体产品

晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
80 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
588pF @ 30V
功率 - 大值
1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号

DMN6070

类别 分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
80 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
588pF @ 30V
功率 - 大值
1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
DMN6070
类别 分立半导体产品
晶体管
FET、MOSFET 阵列
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
80 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
588pF @ 30V
功率 - 大值
1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
DMN6070