DIODES/美台 DMP1046UFDB-7 MOSFET

型号DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能 -
漏源电压（Vdss）
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
17.9nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
915pF @ 6V
功率 - 大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
基本产品编号

DMP1046

类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能 -
漏源电压（Vdss）
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
17.9nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
915pF @ 6V
功率 - 大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
基本产品编号
DMP1046
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能 -
漏源电压（Vdss）
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
17.9nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
915pF @ 6V
功率 - 大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
基本产品编号
DMP1046