Infineon/英飞凌 IRLR3410TRPBF 场效应管

型号 IRLR3410TRPBF

IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF 
类别 分立半导体产品
晶体管，FET，MOSFET
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 105 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 34 nC @ 5 V
Vgs（大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 800 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 79W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号 IRLR3410

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 105 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 34 nC @ 5 V
Vgs（大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 800 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 79W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号 IRLR3410

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 105 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 34 nC @ 5 V
Vgs（大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 800 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 79W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号 IRLR3410