VISHAY/威世 SI4835DDY-T1-GE3 MOSFET

型号SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3

类别 晶体管

FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 卷带（TR）
剪切带（CT）
FET 类型 P通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 
13A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
18 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1960 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
2.5W（Ta），5.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

类别 晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 卷带（TR）
剪切带（CT）
FET 类型 P通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 
13A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
18 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1960 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
2.5W（Ta），5.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
类别 晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 卷带（TR）
剪切带（CT）
FET 类型 P通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 
13A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
18 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1960 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
2.5W（Ta），5.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）