DIODES/美台 ZXMN6A11GTA MOSFET

型号ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

类别

分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
5.7 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
330 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
ZXMN6
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
5.7 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
330 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
ZXMN6