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产品属性
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 336pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DMP3098L-7DMP3098L-7DMP3098L-7
DMP3098L-7
DIODES(美台)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装