VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 SOT-23 3K/盘

地区:广东 深圳
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FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 345 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 345 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

SI2309CDS-T1-GE3SI2309CDS-T1-GE3SI2309CDS-T1-GE3SI2309CDS-T1-GE3
型号/规格

SI2309CDS-T1-GE3

品牌/商标

Vishay(威世)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装