DIODES BSS138-7-F SOT-23-3

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138-7-FBSS138-7-FBSS138-7-FBSS138-7-F

型号/规格

BSS138-7-F

品牌/商标

DIODES(美台）

封装形式

SOT23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装