DIODES DMN2400UV-7 SOT-563-6

供应商器件封装 SOT-563

FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.33A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 480 毫欧 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 36pF @ 16V
功率 - 最大值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SOT-563

FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.33A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 480 毫欧 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 36pF @ 16V
功率 - 最大值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SOT-563

FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.33A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 480 毫欧 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 36pF @ 16V
功率 - 最大值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
DMN2400UV-7DMN2400UV-7DMN2400UV-7DMN2400UV-7