AON7702A 30V 36A N-CH

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数据列表AON7702A;

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列SRFET™

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13.5A（Ta），36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1400pF @ 15V

FET 功能肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）3.1W（Ta），23W（Tc）

工作温度-55°C ~ 155°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-DFN（3x3）

封装/外壳8-PowerVDFN