AOS美国万代 AON2406 DFN

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数据列表AON2406;

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列-

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）12.5 毫欧 @ 8A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）18nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1140pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散（最大值）2.8W（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装6-DFN-EP（2x2）

封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘