AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

AOC3864 20V19A 共漏极双N沟道

数据列表AOC3864;

标准包装  5,000

包装  标准卷带  

零件状态停產

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列AlphaMOS

规格FET 类型2 N 沟道（双）共漏

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）-

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）38nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-

功率 - 最大值2.4W

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳6-XDFN

供应商器件封装6-DFN (2.7x1.8)