美国万代AOS AO7412 场效应管

美国万代AOS AO7412 场效应管

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美国万代AOS AO7412 场效应管

数据列表AO7412;

SC70-6L Pkg Drawing;

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列-

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）90 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）3.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）270pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（最大值）350mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装SC-70-6

封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363