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产品属性
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AON6416 场效应管 DFN-8
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数据列表AON6416;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列SDMOS™
规格FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)14A(Ta),22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)28nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1430pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)2.4W(Ta),31W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-DFN(5x6)
封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线
AON6416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DFN5*6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
N 沟道
30V
14A(Ta),22A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250μ
28nC @ 10V
1430pF @ 15V