TPH1R712MD 大电流低内阻MOS

TPH1R712MD 大电流低内阻MOS

、TPH1R712MD 大电流低内阻MOS

TPH1R712MD 大电流低内阻MOS

泰利電子（深圳）科技有限公司產品简介 深圳泰利電子主要致力於電子元件的貿易銷售,成立於2009年,是較早的全球知名品牌元件經銷商之一. 主要代理產品線有塲效應管（MOS-FET）,可控硅（IGBT）,二/三極管（DIODE/TRANSISTOR）,貼片電阻/電容

产品属性 属性值 搜索类似

*型号/规格： TPH1R712MD

*品牌/商标： Toshiba

*封装形式： SOP-8

*环保类别：无铅环保

*安装方式： 贴片

*包装方式： 卷带编带包装

功率特征：小功率

制造商: Toshiba

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP Advance-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 182 nC

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.95 mm  

长度: 5 mm  

系列: TPH1R712MD  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 512 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 14 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 1620 ns  

典型接通延迟时间: 27 ns  

单位重量: 69 mg