BA12003BF-E2 缓冲器和线路驱动器

BA12003BF-E2

缓冲器和线路驱动器 RECOMMENDED ALT BA12003DF-ZE2 

7 Circuits Darlinton Transistor Array

General Description BA12003BF-E2

BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array

consist of 7circuits, input resistor to limit base current and

output surge absorption clamp diode.

Features BA12003BF-E2

■ Built-in 7 circuits

■ High output break down voltage

■ High DC output current gain

■ Built-in input resistor to limit base current

■ Built-in output surge absorption clamp diode

Applications BA12003BF-E2

■ Motor Drivers

■ LED Drivers

■ Solenoid Drivers

■ Low Side Switch

Key Specifications

■ Output break down voltage： VCE=60V(max)

■ Output current： Io=500mA/ch(max)

■ Operating supply voltage range： -0.5V to +30V

■ Operating temperature range： -40°C to +85°C

■ DC current gain： hfe=1000(min)

■ Input resistor： BA12003B/BF Rin=2.7kΩ

 BA12004B/BF Rin=10.5kΩ

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 缓冲器和线路驱动器 

RoHS:  无铅环保  

输入线路数量: 7 Input 

输出线路数量: 7 Output 

极性: Inverting 

电源电压-最大: 55 V 

最小工作温度: - 25 C 

最大工作温度: + 75 C 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOP-16 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

系列: BA12003BF  

商标: ROHM Semiconductor  

高电平输出电流: 350 mA  

工作电源电流: 25 mA  

Pd-功率耗散: 0.625 W  

产品类型: Buffers & Line Drivers  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Logic ICs  

零件号别名: BA12003BF  

单位重量: 242 mg